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基礎(chǔ)信息Product information
產(chǎn)品名稱：
HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
所在地：深圳市
更新時(shí)間：2024-11-12
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測(cè)器是德國(guó)FEMTO品牌一款高速GHZ放大器技術(shù)光電探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍320 -1000 nm，帶寬1.4GHZ，應(yīng)用于光譜、快速脈沖和瞬態(tài)測(cè)量、光學(xué)觸發(fā)、用于示波器和A / D轉(zhuǎn)換器的光學(xué)前端（O / E轉(zhuǎn)換器）等試驗(yàn)。
產(chǎn)品特性Product characteristics
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,綜合 | 波長(zhǎng)范圍 | 320-1000 nm |
| 帶寬范圍 | 10 kHz- 1.4 GHz |
HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測(cè)器
通過(guò)將**的光電二極管與經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的出色的FEMTO GHz放大器技術(shù)相結(jié)合，我們?cè)O(shè)計(jì)了一系列具有**性能的新型光電接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的帶寬上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光電二極管，光譜范圍分別為320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器設(shè)計(jì)，ZUI小NEP僅為11pW√Hz，互阻抗為5 x 103 V / A. 這允許以GHz速度測(cè)量μW范圍內(nèi)的光功率水平。
實(shí)驗(yàn)應(yīng)用：
光譜
快速脈沖和瞬態(tài)測(cè)量
光學(xué)觸發(fā)
用于示波器和A / D轉(zhuǎn)換器的光學(xué)前端（O / E轉(zhuǎn)換器）
HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測(cè)器
超快光接收器系列hspr-x和hsa-x-s系列特征
Si-PIN和InGaAs-PIN光電二極管
波長(zhǎng)范圍為320至1700 nm
超寬帶寬，從10 kHz到2 GHz
ZUI大轉(zhuǎn)換增益4.75 x 103 V / W.
ZUI小NEP 11 pW /√Hz
通過(guò)將**的光電二極管與經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的出色的FEMTO GHz放大器技術(shù)相結(jié)合，我們?cè)O(shè)計(jì)了一系列具有**性能的新型光電接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的帶寬上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光電二極管，光譜范圍分別為320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器設(shè)計(jì)，ZUI小NEP僅為11pW√Hz，互阻抗為5 x 103 V / A. 這允許以GHz速度測(cè)量μW范圍內(nèi)的光功率水平。
